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Electrical Characteristics
V BIAS (V DD , V BS )=15.0V, R DT =20K Ω, T A =25 ° C, unless otherwise specified. The V IN and I IN parameters are referenced
to GND. The V O and I O parameters are referenced to V S and COM and are applicable to the respective outputs HO
and LO.
Symbol
Parameter
Condition
Min.
Typ.
Max.
Unit
SUPPLY CURRENT SECTION
I QBS
I QDD
Quiescent V BS supply current
Quiescent V DD supply current
V IN =0V or 5V
V IN =0V or 5V, R DT =20K Ω
35
300
90
450
I SD(5)
I PBS
I PDD
I LK
Shutdown supply current
Operating V BS supply current
Operating V DD supply current
Offset supply leakage current
DT/ SD =GND
f IN =20kHz, rms value
f IN =20kHz, rms value
V B =V S =600V
650
400
650
900
700
850
10
μA
POWER SUPPLY SECTION
V DDUV+
V BSUV+
V DDUV-
V BSUV-
V DDUVH
V BSUVH
V DD and V BS supply under-voltage
positive going threshold
V DD and V BS supply under-voltage
negative going threshold
V DD supply under-voltage lockout
hysteresis
10.7
10.0
11.6
10.8
0.8
12.5
11.6
V
V
V
DEAD-TIME CONTROL SECTION
R DTINT
Internal dead-time setting resistance
20
K Ω
V DT
Normal voltage at DT
R DT =20K Ω
3.0
V
GATE DRIVER OUTPUT SECTION
V OH
V OL
High-level output voltage, V BIAS -V O
Low-level output voltage, V O
I O =20mA
1.0
0.6
V
V
I O+
I O-
V S
Output high short-circuit pulse current
Output low short-circuit pulsed current
Allowable negative V S pin voltage for
IN signal propagation to HO
V O =0V, V IN =5V with PW<10μs
V O =15V, V IN =0V with PW<10μs
250
500
350
650
-9.8
-7.0
mA
mA
V
LOGIC INPUT SECTION (INPUT and SHUTDOWN)
V IH
V IL
Logic "1" input voltage
Logic "0" input voltage
2.9
1.2
V
V
I IN+
I IN-
Logic "1" input bias current
Logic "0" input bias current
V IN =5V
V IN =0V
50
100
2.0
μA
μA
SD+
SD-
R PD
Shutdown "1" input voltage
Shutdown "0" input voltage
Input pull-down resistance
2.9
100
1.2
V
V
K Ω
Note:
5. This parameter guaranteed by design .
? 2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FAN73832 Rev. 1.0.2
6
www.fairchildsemi.com
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